闁荤姳闄嶉崹濂稿窗濮椻偓閹姤鎷呴崘顏呪枔闂佹寧鍐婚幏锟�0755-83217923 闂佸憡绮岄張顒勫垂濠婂牆纭€闁惧浚鍋呴ˇ褍霉濠у灝鈧盯鎯冮敓锟�
元器件采购网 > S-457页 > FET - 单SIB415DK-T1-GE3

相关型号

型号 封装 厂家 数量 咨询价格 在线订购

SIB415DK-T1-GE3

PowerPAK? SC-75-6L Vishay Siliconix 15870 闂佹椿婢€缁插鎯佹禒瀣櫖闁跨噦鎷�0755-83217923
询价QQ:闂佸憡绮岄張顒勫垂濠婂牆纭€闁惧浚鍋呴ˇ褍霉濠у灝鈧盯鎯冮敓锟�
SIB415DK-T1-GE3参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
包装数量:1
包装形式:
PDF资料下载:点击下载PDF文档

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):87 毫欧 @ 4.17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.05nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):295pF @ 15V
功率 - 最大值:13W
安装类型:表面贴装

热门型号:

近程E2E-X2D1-N130.3M 矩形M3TFK-3406R 快动,限位,拉杆ESE-58R61B 跳线,预压接线H3BBT-10102-A4-ND 按钮开关A165L-JAM-12D-1 薄膜电容器ECQ-M4122KZ 时钟/计时 - 时IDT2308B-4DC LED - 高亮度MX6AWT-A1-0000-000BA3 DIPKAJ06SGGT 适配器AE-Q64-HCS08-2